三星闪存芯片首次进入3D晶体管时代：功耗更低 尺寸更小

摘要： 10月23日消息，自从Intel首次在22nm工艺节点引入Finfet晶体管之后，逻辑工艺正式进入3D时代，现在三星也要...

10月23日消息，自从Intel首次在22nm工艺节点引入Finfet晶体管之后，逻辑工艺正式进入3D时代，现在三星也要在闪存芯片上首发3D晶体管技术了。

FinFET是一种3D结构的晶体管，其结构类似鱼鳍Fin，进而得名鳍式晶体管，相比传统的2D平面晶体管优点很多，Intel率先在22nm节点上使用，台积电三星在14/16nm节点跟进，如今是先进工艺的基础结构了。

存储芯片因为结构不同，因此多年来还是传统2D晶体管结构，日前在SEDEX 2025会议上，三星DS设备部门技术长Song Jae-hyuk发表了主题演讲，提到要想实现客户预期的性能和能效，需要在单位面积内堆叠更多的晶体管，3D FinFET就是创新技术的核心之一。

三星这番表态意味着将在业界首次在NAND闪存芯片中使用3D晶体管技术，进一步大幅提升闪存的存储密度，提高性能。

闪存用上3D晶体管之后，三星提到了诸多好处，包括信号传输速度提升，功耗更低，尺寸更小等等。

不过三星这番表态还是技术上的，目前还没有确定哪款闪存会用上3D晶体管技术，商业化还要等。